EGP10A
EGP10A
Modèle de produit:
EGP10A
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53904 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EGP10A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:950mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max):50V
Package composant fournisseur:DO-41
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):50ns
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DO-204AL, DO-41, Axial
Autres noms:EGP10A-ND
EGP10ATR
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 50V 1A Through Hole DO-41
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1A
Capacité à Vr, F:-
Numéro de pièce de base:EGP10A
Email:[email protected]

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