EGP10A
EGP10A
Modelo do Produto:
EGP10A
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53904 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EGP10A.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:950mV @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):50V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-41
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):50ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DO-204AL, DO-41, Axial
Outros nomes:EGP10A-ND
EGP10ATR
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 50V 1A Through Hole DO-41
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Número da peça base:EGP10A
Email:[email protected]

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