DMTH10H010LCTB-13
Modèle de produit:
DMTH10H010LCTB-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70791 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMTH10H010LCTB-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.4W (Ta), 166W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2592pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:53.7nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:108A (Tc)
Email:[email protected]

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