DMTH10H010LCTB-13
Modello di prodotti:
DMTH10H010LCTB-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
70791 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMTH10H010LCTB-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 166W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2592pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:108A (Tc)
Email:[email protected]

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