DMHC10H170SFJ-13
DMHC10H170SFJ-13
Modèle de produit:
DMHC10H170SFJ-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
34205 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMHC10H170SFJ-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:V-DFN5045-12
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 5A, 10V
Puissance - Max:2.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:12-VDFN Exposed Pad
Autres noms:DMHC10H170SFJ-13DITR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1167pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.7nC @ 10V
type de FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A, 2.3A
Email:[email protected]

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