| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | V-DFN5045-12 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Moc - Max: | 2.1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 12-VDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | DMHC10H170SFJ-13DITR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 100V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.3A |
| Email: | [email protected] |
