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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > DF200R12PT4B6BOSA1
DF200R12PT4B6BOSA1
Modèle de produit:
DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Quantité:
79202 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DF200R12PT4B6BOSA1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 200A
Package composant fournisseur:Module
Séries:-
Puissance - Max:1100W
Package / Boîte:Module
Autres noms:DF200R12PT4_B6
DF200R12PT4_B6-ND
SP000989816
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:12.5nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max):15µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):300A
Configuration:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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