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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > DF200R12PT4B6BOSA1
DF200R12PT4B6BOSA1
Número de pieza:
DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Cantidad:
79202 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DF200R12PT4B6BOSA1.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 200A
Paquete del dispositivo:Module
Serie:-
Potencia - Max:1100W
Paquete / Cubierta:Module
Otros nombres:DF200R12PT4_B6
DF200R12PT4_B6-ND
SP000989816
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
termistor NTC:Yes
Tipo de montaje:Chassis Mount
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:12.5nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descripción detallada:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max):15µA
Corriente - colector (Ic) (Max):300A
Configuración:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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