| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 500µA (Typ) |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | D2PAK-7 |
| Séries: | C2M™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| Dissipation de puissance (max): | 78W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 52 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 1000V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 20V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1700V |
| Description détaillée: | N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
