| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.1V @ 500µA (Typ) |
| Vgs (สูงสุด): | +25V, -10V |
| เทคโนโลยี: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D2PAK-7 |
| ชุด: | C2M™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 78W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 52 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 200pF @ 1000V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 20V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 20V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1700V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
