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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT50GT60BRG
APT50GT60BRG
APT50GT60BRG
Modèle de produit:
APT50GT60BRG
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 110A 446W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67156 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT50GT60BRG.pdf2.APT50GT60BRG.pdf
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:14ns/240ns
énergie de commutation:995µJ (on), 1070µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max:446W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:240nC
Description détaillée:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):110A
Email:[email protected]

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