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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT50GT120B2RDLG
APT50GT120B2RDLG
APT50GT120B2RDLG
Modèle de produit:
APT50GT120B2RDLG
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
38637 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT50GT120B2RDLG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.7V @ 15V, 50A
Condition de test:800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:23ns/215ns
énergie de commutation:3585µJ (on), 1910µJ (off)
Séries:Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max:694W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:240nC
Description détaillée:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):106A
Email:[email protected]

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