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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT102GA60B2
APT102GA60B2
APT102GA60B2
Modèle de produit:
APT102GA60B2
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 183A 780W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53857 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT102GA60B2.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 62A
Condition de test:400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:28ns/212ns
énergie de commutation:1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Séries:POWER MOS 8™
Puissance - Max:780W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:294nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):307A
Courant - Collecteur (Ic) (max):183A
Email:[email protected]

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