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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT10035LLLG
APT10035LLLG
APT10035LLLG
Modèle de produit:
APT10035LLLG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53380 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT10035LLLG.pdf
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:5185pF @ 25V
Tension - Ventilation:TO-264 [L]
Vgs (th) (Max) @ Id:350 mOhm @ 14A, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:POWER MOS 7®
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28A (Tc)
Polarisation:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT10035LLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:186nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 2.5mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1000V (1kV)
Ratio de capacité:690W (Tc)
Email:[email protected]

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