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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT10035LLLG
APT10035LLLG
APT10035LLLG
Modelo do Produto:
APT10035LLLG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53380 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT10035LLLG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:5185pF @ 25V
Tensão - Breakdown:TO-264 [L]
VGS (th) (Max) @ Id:350 mOhm @ 14A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:POWER MOS 7®
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28A (Tc)
Polarização:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APT10035LLLG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:186nC @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 2.5mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1000V (1kV)
Rácio de capacitância:690W (Tc)
Email:[email protected]

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