70T651S12DRI
70T651S12DRI
Modèle de produit:
70T651S12DRI
Fabricant:
IDT (Integrated Device Technology)
La description:
IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
25855 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
70T651S12DRI.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:12ns
Tension - Alimentation:2.4 V ~ 2.6 V
La technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Package composant fournisseur:208-PQFP (28x28)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:208-BFQFP
Autres noms:IDT70T651S12DRI
IDT70T651S12DRI-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:9Mb (256K x 36)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Numéro de pièce de base:IDT70T651
Temps d'accès:12ns
Email:[email protected]

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