55GN01MA-TL-E
55GN01MA-TL-E
Modèle de produit:
55GN01MA-TL-E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
94876 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
55GN01MA-TL-E.pdf

introduction

55GN01MA-TL-E meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour 55GN01MA-TL-E, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour 55GN01MA-TL-E par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):10V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:3-MCP
Séries:-
Puissance - Max:400mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-70, SOT-323
Autres noms:55GN01MA-TL-E-ND
55GN01MA-TL-EOSTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):1.9dB @ 1GHz
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:10dB @ 1GHz
Fréquence - Transition:4.5GHz ~ 5.5GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz ~ 5.5GHz 400mW Surface Mount 3-MCP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):70mA
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes