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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MRF586G
MRF586G
MRF586G
Modèle de produit:
MRF586G
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS BIPO NPN TO-39
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
79260 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MRF586G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):17V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-39
Séries:-
Puissance - Max:1W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:13.5dB
Fréquence - Transition:3GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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