| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 240mV @ 100mA, 2A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TP |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 800mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | 2SC5706-E-ND 2SC5706-EOS |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 400MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 5A |
| Numéro de pièce de base: | 2SC5706 |
| Email: | [email protected] |
