| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 240mV @ 100mA, 2A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TP |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 800mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | 2SC5706-E-ND 2SC5706-EOS |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 400MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 500mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 5A |
| Numero di parte base: | 2SC5706 |
| Email: | [email protected] |
