2SA2012-TD-E
2SA2012-TD-E
Modèle de produit:
2SA2012-TD-E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 30V 5A SOT89-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43859 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2SA2012-TD-E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:210mV @ 30mA, 1.5A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:PCP
Séries:-
Puissance - Max:3.5W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-243AA
Autres noms:2SA2012-TD-E-ND
2SA2012-TD-EOSTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:420MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5A 420MHz 3.5W Surface Mount PCP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):5A
Email:[email protected]

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