2SA2012-TD-E
2SA2012-TD-E
Modelo do Produto:
2SA2012-TD-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 30V 5A SOT89-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
43859 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
2SA2012-TD-E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:210mV @ 30mA, 1.5A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:PCP
Série:-
Power - Max:3.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-243AA
Outros nomes:2SA2012-TD-E-ND
2SA2012-TD-EOSTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:420MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5A 420MHz 3.5W Surface Mount PCP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

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