1N4446 TR
Modèle de produit:
1N4446 TR
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
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Quantité:
56198 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N4446 TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1V @ 20mA
Tension - inverse (Vr) (max):100V
Package composant fournisseur:DO-35
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):4ns
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms:1N4446 TR-ND
1N4446CSTR
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 200°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Request inventory verification / Request inventory verification
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr:25nA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io):150mA
Capacité à Vr, F:4pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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