1N4446 TR
Modello di prodotti:
1N4446 TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
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Quantità:
56198 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 20mA
Tensione - inversa (Vr) (max):100V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-35
Velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):4ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-204AH, DO-35, Axial
Altri nomi:1N4446 TR-ND
1N4446CSTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 200°C
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Request inventory verification / Request inventory verification
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
Corrente - Dispersione inversa a Vr:25nA @ 20V
Corrente - raddrizzata media (Io):150mA
Capacità a Vr, F:4pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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