TSM150NB04LCR RLG
TSM150NB04LCR RLG
Artikelnummer:
TSM150NB04LCR RLG
Hersteller:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Anzahl:
38000 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TSM150NB04LCR RLG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-PDFN (5x6)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):3.1W (Ta), 56W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerLDFN
Andere Namen:TSM150NB04LCRRLGTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:966pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Ta), 41A (Tc)
Email:[email protected]

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