TSM150NB04LCR RLG
TSM150NB04LCR RLG
Modello di prodotti:
TSM150NB04LCR RLG
fabbricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Quantità:
38000 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TSM150NB04LCR RLG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PDFN (5x6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:15 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerLDFN
Altri nomi:TSM150NB04LCRRLGTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:966pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta), 41A (Tc)
Email:[email protected]

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