STB10NK60Z-1
STB10NK60Z-1
Artikelnummer:
STB10NK60Z-1
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
76910 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
STB10NK60Z-1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:I2PAK
Serie:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max):115W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 10A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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