STB10LN80K5
STB10LN80K5
Artikelnummer:
STB10LN80K5
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
62586 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.STB10LN80K5.pdf2.STB10LN80K5.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs:630 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:427pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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