SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
48847 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.1 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Andere Namen:SIRA14DP-T1-GE3TR
SIRA14DPT1GE3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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