SIRA00DP-T1-RE3
Artikelnummer:
SIRA00DP-T1-RE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Anzahl:
55922 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):104W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:11700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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