SIR180DP-T1-RE3
SIR180DP-T1-RE3
Artikelnummer:
SIR180DP-T1-RE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
34536 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SIR180DP-T1-RE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.05 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Andere Namen:SIR180DP-T1-RE3CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4030pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 32.4A (Ta), 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:32.4A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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