SIR180DP-T1-RE3
SIR180DP-T1-RE3
Número de pieza:
SIR180DP-T1-RE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
34536 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SIR180DP-T1-RE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @Id, Vgs:2.05 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SIR180DP-T1-RE3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4030pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 32.4A (Ta), 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:32.4A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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