SIA477EDJT-T1-GE3
SIA477EDJT-T1-GE3
Artikelnummer:
SIA477EDJT-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
68294 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SIA477EDJT-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max):19W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen:SIA477EDJT-T1-GE3CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3050pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 12V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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