| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Leistung - max: | 3.1W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SI4910DY-T1-E3TR SI4910DYT1E3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 855pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7.6A |
| Basisteilenummer: | SI4910 |
| Email: | [email protected] |
