| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Virta - Max: | 3.1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | SI4910DY-T1-E3TR SI4910DYT1E3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 855pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.6A |
| Perusosan osanumero: | SI4910 |
| Email: | [email protected] |
