SI4916DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4916DY-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
61911 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI4916DY-T1-GE3.pdf

esittely

SI4916DY-T1-GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI4916DY-T1-GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI4916DY-T1-GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 10A, 10V
Virta - Max:3.3W, 3.5W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A, 10.5A
Perusosan osanumero:SI4916
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit