RJU002N06FRAT106
RJU002N06FRAT106
Artikelnummer:
RJU002N06FRAT106
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
67366 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.RJU002N06FRAT106.pdf2.RJU002N06FRAT106.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:UMT3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):200mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-70, SOT-323
Andere Namen:RJU002N06FRAT106TR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:18pF @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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