RJU002N06FRAT106
RJU002N06FRAT106
Modelo do Produto:
RJU002N06FRAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67366 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RJU002N06FRAT106.pdf2.RJU002N06FRAT106.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:RJU002N06FRAT106TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:18pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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