RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11
Artikelnummer:
RGTV60TK65DGVC11
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
68491 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RGTV60TK65DGVC11.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 30A
Testbedingung:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:33ns/105ns
Schaltenergie:570µJ (on), 500µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PFM
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):95ns
Leistung - max:76W
Verpackung / Gehäuse:TO-3PFM, SC-93-3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:64nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 33A 76W Through Hole TO-3PFM
Strom - Collector Pulsed (Icm):120A
Strom - Kollektor (Ic) (max):33A
Email:[email protected]

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