RGTH50TS65GC11
RGTH50TS65GC11
Artikelnummer:
RGTH50TS65GC11
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
85518 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.RGTH50TS65GC11.pdf2.RGTH50TS65GC11.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 25A
Testbedingung:400V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:27ns/94ns
Schaltenergie:-
Supplier Device-Gehäuse:TO-247N
Serie:-
Leistung - max:174W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:49nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N
Strom - Collector Pulsed (Icm):100A
Strom - Kollektor (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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