MB85R256FPFCN-G-BNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Artikelnummer:
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Hersteller:
Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung:
IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
40475 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:150ns
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Technologie:FRAM (Ferroelectric RAM)
Supplier Device-Gehäuse:28-TSOP I
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Andere Namen:865-1170
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-TSOP I
Zugriffszeit:150ns
Email:[email protected]

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