MB85R256FPFCN-G-BNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
部品型番:
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
メーカー:
Fujitsu Electronics America, Inc.
説明:
IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
40475 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:150ns
電源電圧 - :2.7 V ~ 3.6 V
技術:FRAM (Ferroelectric RAM)
サプライヤデバイスパッケージ:28-TSOP I
シリーズ:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
他の名前:865-1170
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:256Kb (32K x 8)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:FRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-TSOP I
アクセス時間:150ns
Email:[email protected]

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