| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Micro3™/SOT-23 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.3W (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | *IRLML6402TR IRLML6402 IRLML6402-ND IRLML6402CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
