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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.3W (Ta) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | *IRLML6402TR IRLML6402 IRLML6402-ND IRLML6402CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 633pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |