IRF6892STR1PBF
Artikelnummer:
IRF6892STR1PBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 28A S3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
40638 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRF6892STR1PBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 50µA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DIRECTFET™ S3C
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:DirectFET™ Isometric S3C
Andere Namen:IRF6892STR1PBF-ND
IRF6892STR1PBFTR
SP001526954
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2510pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 25V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:28A (Ta), 125A (Tc)
Email:[email protected]

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