IRF6711STR1PBF
IRF6711STR1PBF
Artikelnummer:
IRF6711STR1PBF
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58006 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IRF6711STR1PBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DIRECTFET™ SQ
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.8 mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:DirectFET™ Isometric SQ
Andere Namen:IRF6711STR1PBFCT
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1810pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 25V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:19A (Ta), 84A (Tc)
Email:[email protected]

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