| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.9V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ MN |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric MN |
| Andere Namen: | IRF6646TR1CT |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2060pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
