| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.9V @ 150µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DIRECTFET™ MN |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | DirectFET™ Isometric MN |
| Inne nazwy: | IRF6646TR1CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2060pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 80V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
