| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.9V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | DIRECTFET™ MN |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | DirectFET™ Isometric MN |
| Ostatní jména: | IRF6646TR1CT |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2060pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
| Detailní popis: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
