IPB017N10N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
Artikelnummer:
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
48025 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IPB017N10N5ATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 279µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO263-7
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max):375W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen:IPB017N10N5ATMA1TR
SP001227028
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:15600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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